数字市场 专利库 一种金属‑有机框架单晶外延生长的DMMnF/DMCoF异质结材料及其制备方法

一种金属‑有机框架单晶外延生长的DMMnF/DMCoF异质结材料及其制备方法

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专利申请号
CN201510101695.7
专利类型
发明专利
技术分类
C07F19/00
专利有效期
2035-03-09
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专利信息
专利名称:一种金属‑有机框架单晶外延生长的DMMnF/DMCoF异质结材料及其制备方法
商品编号:12490
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申请日期:2015-03-09
公开/公告号:CN104788506B
授权公告日/公开日:2017-07-28
申请/专利权人: 浙江***学
发明/设计人: 李培***小平
主分类号:C07F19/00
IPC分类号:C07F19/00; C07F13/00; C07F15/06
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本发明公开了一种金属‑有机框架单晶外延生长的DMMnF/DMCoF异质结材料及其制备方法,金属‑有机框架单晶外延生长的DMMnF/DMCoF异质结材料为由1.8×1.8×1.8~2×2×2 mm3的DMCoF单晶衬底和尺寸为2.2×2.2×2.2~2.6×2.6×2.6 mm3,厚度为0.2~0.3 mm的DMMnF外延单晶组成的异质结。本发明制备过程中,所用试剂为商业产品,无需繁琐制备;利用水热法和液相法相结合获得大尺寸的单晶;工艺可控性强,易操作,制得的产物纯度高。本发明所得的DMMnF/DMCoF异质结单晶材料,有望在新型金属‑有机框架半导体、信息存储和光学器件方面得到广泛的应用。

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