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一种湿法硅片清洗方法

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专利申请号
CN201610464167.2
专利类型
发明专利
技术分类
H01L21/02
专利有效期
2036-06-23
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专利信息
专利名称:一种湿法硅片清洗方法
商品编号:14108
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申请日期:2016-06-23
公开/公告号:CN105914137B
授权公告日/公开日:2019-07-26
申请/专利权人: 北京***公司
发明/设计人: 吕**
主分类号:H01L21/02
IPC分类号:H01L21/02; B08B3/04; B08B3/08; B08B3/10
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种湿法硅片清洗方法,包括以下步骤:步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属;步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗;步骤3、在50℃~60℃的温度下,使用***和水的混合物溶解硅片上的氧化层;步骤4、使用去离子水对硅片进行清洗;步骤5、在55℃~70℃的温度下,在使用SC‑1溶液对硅片进行清洗;步骤6、使用去离子水对硅片进行清洗;步骤7、在55℃~70℃的温度下,使用SC‑2溶液对硅片进行清洗;步骤8、使用HF溶液对硅片进行浸泡。本发明在清洗中使用了合适的温度范围,与现有的常温的湿法清洗技术相比,反应速率加快,则在相同的清洗程度之下,本发明所使用的***等有害化学物质减少。

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