数字市场 专利库 一种多阻态双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法
一种多阻态双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法

一种多阻态双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法

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专利申请号：
CN201510626464.8
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L45/00
专利有效期：
2035-09-23
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专利信息
专利名称：一种多阻态双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法
商品编号：2852
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申请日期：2015-09-23
公开/公告号：CN105185904B
授权公告日/公开日：2018-02-02
申请/专利权人： 金**
发明/设计人： 金**
主分类号：H01L45/00
IPC分类号：H01L45/00; H01L21/363
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本发明公开了一种多阻态双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法。该阻变存储器具有稳定的保持特性和多值存储性能，具体是指以金属Ti/Au为上电极、以ITO作为衬底和下电极，利用射频磁控沉积技术在ITO衬底上先后镀上TiO：Cu和Ga2O3薄膜而形成阻变层，然后在ITO衬底上和已经镀氧化镓的薄膜上溅射钛(Ti)和金(Au)薄膜，制成ITO/TiO：Cu/Ga2O3/Ti/Au结构的存储器件，并实现了多值存储功能。本发明的优越性在于：通过异质结界面处缺陷的移动而产生单双极阻变，制备的阻变存储器件具有稳定的保持特性、循环特性以及多阻态阻变存储性能，提高了存储器的存储容量和使用寿命。

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