同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法
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专利申请号:
CN201910804921.6
专利类型:
技术分类:
-
专利有效期:
-
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专利信息
专利名称:同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法
商品编号:5034671
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申请日期:2019-08-29
公开/公告号:CN110518031A
授权公告日/公开日:2019-11-29
申请/专利权人:
南京***院
发明/设计人:
蔡*
主分类号:-
IPC分类号:H01L27/15;H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46;H01L21/8252
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法,通信芯片基于硅衬底氮化镓晶圆制备,所述硅衬底氮化镓晶圆从上至下依次包括p‑GaN层、InGaN多量子阱层、InGaN波导层、AlGaN包覆层、n‑GaN层、缓冲层和硅衬底层,缓冲层上设置光源、探测器和有源波导,所述光源、探测器和有源波导均包括p‑n结、绝缘隔离层、p型电极和n型电极,各p‑n结通过对所述硅衬底氮化镓晶圆刻蚀而成。本发明能够解决异质集成通信芯片器件制备工艺复杂,不能晶圆级集成等问题,简化了制备工艺,传输损耗小,可应用于光通信和光传感领域,能够实现更长距离的片上光信号传输。
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