一种常开型GaN FET的直接驱动电路
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专利申请号：
CN201810505115.4
专利类型：
技术分类：
-
专利有效期：
-
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专利信息
专利名称：一种常开型GaN FET的直接驱动电路
商品编号：5034895
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申请日期：2018-05-24
公开/公告号：CN108696268A
授权公告日/公开日：2018-10-23
申请/专利权人：
南京***院
发明/设计人：
李**
主分类号：-
IPC分类号：H03K3/021
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种常开型GaN FET的直接驱动电路，包括驱动输入模块、LVMOS驱动模块、欠压保护模块、CSD模块和过电流保护模块，驱动输入模块输出信号至LVMOS驱动模块、CSD模块和JFET管J1，欠压保护模块和过电流保护模块分别输出信号至驱动输入模块，CSD模块分别连接欠压保护模块、LVMOS驱动模块、JFET管J1的漏极和GaN FET管F1的栅极，JFET管J1的源极分别连接P型LVMOSFET管L1的漏极和欠压保护模块，P型LVMOSFET管L1的源极分别连接欠压保护模块和GaN FET管F1的源极，P型LVMOSFET管L1的栅极连接LVMOS驱动模块，GaN FET管F1的漏极连接过电流保护模块。本发明能够降低开关损耗。
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