数字市场 专利库 一种三维多孔MnO2纳米线印迹膜及其制备方法与应用
一种三维多孔MnO2纳米线印迹膜及其制备方法与应用

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专利申请号：
CN202010202274.4
专利类型：
发明专利
技术分类：
B01D67/00
专利有效期：
2040-03-20
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专利信息
专利名称：一种三维多孔MnO2纳米线印迹膜及其制备方法与应用
商品编号：5063941
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申请日期：2020-03-20
公开/公告号：CN111389234A
授权公告日/公开日：2020-07-10
申请/专利权人： 江**学
发明/设计人： 孟敏***粟廒
主分类号：B01D67/00
IPC分类号：B01D67/00; B01D71/34; B01J20/06; B01J20/28; C01G45/02; B01J20/30
说明书摘要免费下载摘要

本发明属于材料分离技术领域，具体涉及一种三维多孔MnO2纳米线印迹膜及其制备方法与应用。本发明创造性地将MnO2纳米线印迹聚合物与聚偏氟乙烯粉末与食盐进行混合，采用共混加热的方法在MnO2纳米线表面直接进行印迹制备出PVDF基的三维多孔MnO2纳米线印迹膜。制备过程中通过可溶性食盐的颗粒大小灵活调控膜三维孔径大小，增加膜的弹性的同时调控青蒿琥酯与印迹位点的识别速率，最终调节对青蒿琥酯的选择性分离效果。本发明制备方法简单，易操控，低耗能、无二次污染，符合绿色化学概念；制备的印迹膜具有高效的青蒿琥酯吸附特性，可大规模生产并应用于青蒿琥酯吸附分离领域。

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