数字市场 专利库 一种FeNi-S@N-RGO纳米片超级电容器电极材料及其制备方法
一种FeNi-S@N-RGO纳米片超级电容器电极材料及其制备方法

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专利申请号：
CN201910021091.X
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01G11/30
专利有效期：
2039-01-09
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专利信息
专利名称：一种FeNi-S@N-RGO纳米片超级电容器电极材料及其制备方法
商品编号：5065499
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申请日期：2019-01-09
公开/公告号：CN109741962A
授权公告日/公开日：2019-05-10
申请/专利权人： 上海***大学
发明/设计人： 蒋继***佳玲
主分类号：H01G11/30
IPC分类号：H01G11/30; H01G11/32; H01G11/26; H01G11/86; B82Y30/00
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本发明公开了一种FeNi-S@N-RGO纳米片超级电容器电极材料及其制备方法。该制备方法包括以下几个步骤：第一步：将氯化镍六水合物、硝酸铁九水合物、尿素、柠檬酸三钠盐二水合物和去离子水混合后，水热釜中进行水热反应，反应结束后离心，洗涤，干燥；第二步：将第一步水热得到的样品FeNi LDH、硫代乙酰胺加入到乙醇溶液中，再进行水热反应，待反应结束进行离心，洗涤，干燥，得到FeNi-S样品；第三步：将FeNi-S样品和RGO混合后在管式炉中煅烧，制备出FeNi-S@N-RGO纳米片电极材料。本发明制备方法环境友好、制备方法简单，便于大规模生产。

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