一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺
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专利申请号:
CN201710019679.2
专利类型:
发明专利
技术分类:
C30B11/04
专利有效期:
2037-01-12
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专利信息
专利名称:一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺
商品编号:5155287
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申请日期:2017-01-12
公开/公告号:CN106591937A
授权公告日/公开日:2017-04-26
申请/专利权人:
南**学
发明/设计人:
王强***国安
主分类号:C30B11/04
IPC分类号:C30B11/04; C30B29/06
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺,包括如下步骤:(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段;(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段;(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时,会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁,坩埚壁处的温度较高,导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动,接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时,缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度,避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象,采用了降温速率控制工艺,实现了铸锭工艺的优化。
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