用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔
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专利申请号：
CN201710579316.4
专利类型：
发明专利
技术分类：
C23C16/40
专利有效期：
2035-11-11
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专利信息
专利名称：用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔
商品编号：5155344
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申请日期：2015-11-11
公开/公告号：CN107475688B
授权公告日/公开日：2019-05-03
申请/专利权人：
南**学
发明/设计人：
王志***长青
主分类号：C23C16/40
IPC分类号：C23C16/40; C23C16/52
说明书摘要免费下载摘要
一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
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用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔专利，专利类型：发明授权，技术分类是：C23C16/40，购买用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔专利，需要申请人和发明人的基础信息，还需提供用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔专利的详细信息。
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