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用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法
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专利申请号:
CN201310681914.4
专利类型:
发明专利
技术分类:
B23H3/04
专利有效期:
2033-12-12
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专利信息
专利名称:用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法
商品编号:5234442
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申请日期:2013-12-12
公开/公告号:CN103706899A
授权公告日/公开日:2014-04-09
申请/专利权人:
江苏***公司
发明/设计人:
王**
主分类号:B23H3/04
IPC分类号:B23H3/04
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法,步骤包括步骤1、金属基板的预处理;步骤2、制作图形化掩蔽膜;步骤3、掩膜电解深刻蚀,以表面图形化的金属基板为阳极进行电解加工,得到掩膜电解深刻蚀加工制作线电极模板中的工具阴极,根据光刻胶图形宽度及电解电流密度确定电解刻蚀时间,直到得到顶部尖的金属栅线阵列图形;步骤4、去除背面材料,去除与已制作的金属栅线对应的背部材料以得到与边框一体的线电极阵列,即成。本发明的方法,能够制作截面为正方形、长方形、菱形等不同形状的金属微结构阵列,高效实现大深宽比、高密度、高加工质量的金属微结构阵列。
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用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法专利,专利类型:发明授权,技术分类是:B23H3/04,购买用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法专利,需要申请人和发明人的基础信息,还需提供用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法专利的详细信息。
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