数字市场 专利库 一种基于强化学习的基片集成波导参数优化方法及结构

一种基于强化学习的基片集成波导参数优化方法及结构

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专利申请号
CN202111165664.X
专利类型
发明专利
技术分类
H01P11/00
专利有效期
2041-09-30
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专利信息
专利名称:一种基于强化学习的基片集成波导参数优化方法及结构
商品编号:5541373
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申请日期:2021-09-30
公开/公告号:CN113889737B
授权公告日/公开日:2022-04-08
申请/专利权人: 西**学
发明/设计人: 黄永***江婉
主分类号:H01P11/00
IPC分类号:H01P11/00; H01P3/00; G06N20/00; G06F30/367; G06F30/27; G06F115/12
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本发明提供了一种基于强化学习的基片集成波导参数优化方法及结构,方法包括如下步骤:对待优化基片集成波导进行参数提取:参数包括阻抗网络中阻抗单元的偏转角度θ,以及加载其上的结构参数L;根据Q‑learning算法,基于强化学习中的ε贪婪策略,以参数夹角θ和尺寸L做范围变化并代入三维电磁场仿真软件进行变量仿真测试,得到参数对应的奖励值或惩罚值;根据所述参数对应的奖励值或惩罚值,得到最优参数。本发明在线下利用深度学习算法学习到最优的基片集成波导优化参数,然后在线上优化时使用,以快速得到给定设计参数及设计目标下最优的优化参数,提高了基片集成波导设计效率。

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