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一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法

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专利申请号
CN201610531429.2
专利类型
发明专利
技术分类
H01L31/18
专利有效期
2036-07-07
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专利信息
专利名称:一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法
商品编号:5558235
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申请日期:2016-07-07
公开/公告号:CN106129174B
授权公告日/公开日:2017-08-29
申请/专利权人: 深**学
发明/设计人: 叶凡***东平
主分类号:H01L31/18
IPC分类号:H01L31/18; C23C14/08
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本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法,其中,所述方法包括步骤:A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上,通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射,生成氧化亚铜薄膜;B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中,采用热扩散方法将CuF2粉末掺杂到所述氧化亚铜薄膜中,从而生成掺氟氧化亚铜薄膜。本发明制备掺氟氧化亚铜薄膜的方法,其可控性强、工艺简单、制作成本低,并且生成的薄膜具有很好的附着性和重复性,可满足大规模生产需要;并且本发明制备的掺氟氧化亚铜薄膜具有载流子迁移率高、电阻率低等特点,可有效提高掺氟氧化亚铜薄膜制成的太阳能电池光电转换效率。

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