基于纳晶结构碳膜的场效应管结构光电器件及其制备方法
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专利申请号:
CN201810326785.X
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01L31/112
专利有效期:
2038-04-12
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专利信息
专利名称:基于纳晶结构碳膜的场效应管结构光电器件及其制备方法
商品编号:5559128
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申请日期:2018-04-12
公开/公告号:CN108649095A
授权公告日/公开日:2018-10-12
申请/专利权人:
深**学
发明/设计人:
张希***东风
主分类号:H01L31/112
IPC分类号:H01L31/112; H01L31/028; H01L31/18
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本发明公开基于纳晶结构碳膜的场效应管结构光电器件及其制备方法,器件包括层叠设置的第一金属电极层和硅衬底,硅衬底上表面相对两侧端均设置有二氧化硅层,硅衬底两侧端二氧化硅层上分别设置有第二金属电极层和第三金属电极层,第二金属电极层和第三金属电极层上设置有垂直生长的石墨烯纳晶碳膜,石墨烯纳晶碳膜与硅衬底上表面接触并形成光电异质结。本发明通过在第二金属电极层与第三金属电极层之间施加源极漏极电压,在第一金属电极层与第二金属层电极之间施加栅极电压,可显著改变碳膜中石墨烯纳晶的费米能级,有效提高场效应管结构光电器件的光电转换效率,这种增益机制对载流子的运输与重组过程较传统光电三极管更快速高效,且超带宽。
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