一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料及其制备方法
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专利申请号：
CN201911110962.1
专利类型：
发明专利
技术分类：
C01G51/00
专利有效期：
2039-11-01
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专利信息
专利名称：一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料及其制备方法
商品编号：5567262
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申请日期：2019-11-01
公开/公告号：CN110697794A
授权公告日/公开日：2020-01-17
申请/专利权人：
宁**学
发明/设计人：
陶凯***韩磊
主分类号：C01G51/00
IPC分类号：C01G51/00; C01B21/082; H01G11/24; H01G11/30
说明书摘要免费下载摘要
本发明提供了一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料及其制备方法。本发明提供了一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4的制备方法。具体是将g-C3N4加入到含有钴盐、C4H6N2和溶剂的反应溶液中，通过钴离子与C4H6N2反应，在g-C3N4上原位生长形成二维纳米片前驱体，然后加入硫源，通过水热反应得到二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料。本发明材料的制备过程简单，成本低，无污染。该复合电极材料，能够增大电解质溶液与电极材料的接触面积，缩短离子传输路径，加快离子传输速率，增加导电性。作为超级电容器电极材料，该材料具有优异的比电容和循环稳定性。
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