利用PN结自供电的半导体光电催化器件
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专利申请号:
CN201811446777.5
专利类型:
发明专利
技术分类:
B01J21/08
专利有效期:
2038-11-29
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专利信息
专利名称:利用PN结自供电的半导体光电催化器件
商品编号:5640764
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申请日期:2018-11-29
公开/公告号:CN109675542A
授权公告日/公开日:2019-04-26
申请/专利权人:
长春***学
发明/设计人:
母**
主分类号:B01J21/08
IPC分类号:B01J21/08;B01J35/02;B82Y40/00;C02F1/30;C02F1/46
说明书摘要免费下载摘要
利用PN结自供电的半导体光电催化器件属于光电催化技术领域。现有技术为了提高半导体光电催化器件的催化效率,致使结构复杂。本发明之利用PN结自供电的半导体光电催化器件其特征在于,在P‑N+硅片的P‑区分布若干栅条,自P‑区至N+区掺杂浓度由稀变浓,栅条以下的P‑区厚度为50~120μm;栅条的顶面和侧面覆盖有半导体纳米线光电催化层。本发明能够用来催化净化水体,同时能够利用光照实现自供电,催化效率得到提高,器件结构得到简化。
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利用PN结自供电的半导体光电催化器件专利,专利类型:发明授权,技术分类是:B01J21/08,购买利用PN结自供电的半导体光电催化器件专利,需要申请人和发明人的基础信息,还需提供利用PN结自供电的半导体光电催化器件专利的详细信息。
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