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一种N离子掺杂二氧化铈薄膜的制备方法
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专利申请号:
CN201710427185.8
专利类型:
发明专利
技术分类:
C23C14/06(2006.01)I
专利有效期:
2037-06-08
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专利信息
专利名称:一种N离子掺杂二氧化铈薄膜的制备方法
商品编号:5661601
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申请日期:2017-06-08
公开/公告号:CN107164728A
授权公告日/公开日:2017-09-15
申请/专利权人:
[*
发明/设计人:
安涛***玉欣
主分类号:C23C14/06(2006.01)I
IPC分类号:C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;H01M8/126
说明书摘要免费下载摘要
本发明提供了一种N3‑掺杂CeO2薄膜的制备方法,在Ar和N2的混合气氛中,以金属Ce为靶材,经磁控溅射得到CeN薄膜,将制得的CeN薄膜氧化,即得N3‑掺杂CeO2薄膜。本发明同时采用磁控溅射在低温条件下制得了N3‑掺杂CeO2固体氧化物燃料电池电解质薄膜,克服了以往采用化学制备方法需采用高温及有机溶剂造成的环境污染问题,且较传统化学方法具有制备的材料均匀性好、厚度精确可控、与衬底结合牢固、可制备纳米晶薄膜等优点。
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一种N离子掺杂二氧化铈薄膜的制备方法专利,专利类型:发明授权,技术分类是:C23C14/06(2006.01)I,购买一种N离子掺杂二氧化铈薄膜的制备方法专利,需要申请人和发明人的基础信息,还需提供一种N离子掺杂二氧化铈薄膜的制备方法专利的详细信息。
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