数字市场 专利库 一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法

一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法

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专利申请号
CN201911113373.9
专利类型
发明专利
技术分类
C04B35/46(2006.01)I
专利有效期
2039-11-14
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专利信息
专利名称:一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法
商品编号:5668281
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申请日期:2019-11-14
公开/公告号:CN110803923A
授权公告日/公开日:2020-02-18
申请/专利权人: 陕西***学
发明/设计人: 刘*
主分类号:C04B35/46(2006.01)I
IPC分类号:C04B35/46;C04B35/622;C04B35/63;C04B41/88
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本发明公开了一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法,通过二氧化钛中同时添加三价元素Al和等摩尔质量的五价元素Nb,将预烧粉置于3~12T的磁场下,获得生胚,之后在N2气氛下高温烧结,在陶瓷内部形成“巨缺陷”偶极子,形成较多的局域化电子,获得巨介电陶瓷,且在磁场下会使此类偶极子被磁场定向,限制自由电荷的移动从而提高电阻率和降低介电损耗。本发明制备的陶瓷表现出了优良的温度稳定性和频率稳定性,相对介电常数大于103,介电损耗可达到0.05~0.1,电阻率可达到107~109Ω·cm,属于环境友好型电子材料,在要求小型化、轻量化的多层电子元件电容器中具有实际的应用价值。

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