简化制备单畴YBCO超导块材的方法
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专利申请号:
CN201310303997.3
专利类型:
发明专利
技术分类:
C04B35/45(2006.01)I
专利有效期:
2033-07-18
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专利信息
专利名称:简化制备单畴YBCO超导块材的方法
商品编号:5668880
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申请日期:2013-07-18
公开/公告号:CN103396114A
授权公告日/公开日:2013-11-20
申请/专利权人:
陕西***学
发明/设计人:
杨**
主分类号:C04B35/45(2006.01)I
IPC分类号:C04B35/45;C04B35/50;C04B35/622
说明书摘要免费下载摘要
一种简化制备单畴YBCO超导块材的方法,采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded–Metal Oxides Melt Growth,简称TS-MOMG)方法制备单畴YBCO块材,直接采用Y2O3、BaO以及CuO三种金属氧化物,在晶体生长的升温阶段通过固相反应自行合成YBa2Cu3O7-δ和Y2BaCuO5,在随后的降温过程中,在籽晶诱导下进行外延生长织构长成单畴块材。本发明在整个超导块材生长过程中不用单独合成YBa2Cu3O7-δ和Y2BaCuO5两种先驱粉体,而是将先驱粉体的合成与单畴块材的生长两个环节综合在一个热处理过程中,简化了工艺步骤,节约了时间和能源。本发明可用于制备YBCO超导块材,也可用于制备同一系列的其他高温超导块材,如钆钡铜氧、钐钡铜氧、钕钡铜氧、镱钡铜氧等。
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