一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构

本发明公开了一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明结构采用多次外延法在N+衬底上依次交替制作N型层和P型层。首先在N+衬底上外延第一层N型层，之后在第一层N型层上外延第一层P型层，之后在第一层P型层外延层上外延第二层N型层，之后在第二层N型层外延层上外延第二层P型层，直到外延最后一层为N型层为止。如果外延的N型层一共有M层，则外延的P型层一共有M‑1层，总的外延层数为2M‑1层。每个N型层与每个P型层的厚度、掺杂浓度完全相同。本发明在外延层内部形成“锯齿形”的纵向电场分布，该电场分布更加均匀，使探测器在更低的衬底偏压下实现外延层的全耗尽，从而有效降低SiC微沟槽中子探测器的工作电压。