数字市场 专利库 一种ZnSe量子点敏化纳米TiO2薄膜的制备方法

一种ZnSe量子点敏化纳米TiO2薄膜的制备方法

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专利申请号
CN201610916642.5
专利类型
发明专利
技术分类
H01G9/20(2006.01)I
专利有效期
2036-10-21
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专利信息
专利名称:一种ZnSe量子点敏化纳米TiO2薄膜的制备方法
商品编号:5745793
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申请日期:2016-10-21
公开/公告号:CN106548873A
授权公告日/公开日:2017-03-29
申请/专利权人: [*
发明/设计人: 李葵***伦
主分类号:H01G9/20(2006.01)I
IPC分类号:H01G9/20;H01G9/042
说明书摘要免费下载摘要

一种ZnSe量子点敏化纳米TiO2薄膜的制备方法,它主要包括如下步骤(1)将TiO2浆料滴到导电玻璃表面,刮涂一层TiO2浆料层,烘干后500℃煅烧0.5h,冷却后得到第1个涂层;按上述方法继续制备第2、3或4层,制得一层或多层TiO2薄膜;(2)去离子水加入硼氢化钠和硒粉,氮气下磁力搅拌,得到Se前体溶液;(3)去离子水加入配体L‑Cys和醋酸锌,用NaOH溶液调节PH至11,得到Zn前体溶液;(4)按体积比1:1将Se前驱液和Zn前驱液混合,将TiO2薄膜倾斜约30°浸于混合液中,于25‑80℃避光静置1.5‑7h后取出,用去离子水冲洗,晾干后置于真空干燥箱中烘干,制得ZnSe量子点敏化TiO2薄膜。本发明反应条件温和、对设备要求低、能源损耗小,更加绿色环保。

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