一种ZnSe量子点敏化纳米TiO2薄膜的制备方法
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专利申请号：
CN201610916642.5
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01G9/20(2006.01)I
专利有效期：
2036-10-21
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专利信息
专利名称：一种ZnSe量子点敏化纳米TiO2薄膜的制备方法
商品编号：5745793
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申请日期：2016-10-21
公开/公告号：CN106548873A
授权公告日/公开日：2017-03-29
申请/专利权人：
[*
发明/设计人：
李葵***伦
主分类号：H01G9/20(2006.01)I
IPC分类号：H01G9/20;H01G9/042
说明书摘要免费下载摘要
一种ZnSe量子点敏化纳米TiO2薄膜的制备方法，它主要包括如下步骤(1)将TiO2浆料滴到导电玻璃表面，刮涂一层TiO2浆料层，烘干后500℃煅烧0.5h，冷却后得到第1个涂层；按上述方法继续制备第2、3或4层，制得一层或多层TiO2薄膜；(2)去离子水加入硼氢化钠和硒粉，氮气下磁力搅拌，得到Se前体溶液；(3)去离子水加入配体L‑Cys和醋酸锌，用NaOH溶液调节PH至11，得到Zn前体溶液；(4)按体积比1:1将Se前驱液和Zn前驱液混合，将TiO2薄膜倾斜约30°浸于混合液中，于25‑80℃避光静置1.5‑7h后取出，用去离子水冲洗，晾干后置于真空干燥箱中烘干，制得ZnSe量子点敏化TiO2薄膜。本发明反应条件温和、对设备要求低、能源损耗小，更加绿色环保。
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