数字市场 专利库 一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法
一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法

一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法

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专利申请号：
CN201510491652.4
专利类型：
发明专利
技术分类：
B32B15/04
专利有效期：
2035-08-12
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专利信息
专利名称：一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法
商品编号：9777
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申请日期：2015-08-12
公开/公告号：CN105150624B
授权公告日/公开日：2017-07-07
申请/专利权人： 湖南***公司
发明/设计人： 刘夕***刘波
主分类号：B32B15/04
IPC分类号：B32B15/04; B32B15/18; B32B9/00; B32B27/06; B32B33/00; B32B37/02; B32B38/00; B32B38/18
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一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法，包括五层，中心层为铜箔，铜箔两面为碳纳米管膜，碳纳米管膜外面为树脂层，总厚度为7‑14um。制备方法步骤如下：将溶解有二茂铁的正已烷溶液泵入反应炉的沸腾床上，反应炉内温度在1100‑1200℃，二茂铁在高温的作用下分解出铁原子，正已烷在铁原子的催化和高温的作用下分解出碳原子，附着于铜箔的两面，然后在碳纳米管膜上覆盖树脂层，本发明保证了在较薄厚度情况下复合电磁屏蔽膜的机械性，能解决使用液晶聚酯薄膜制备时，绝缘层厚度无法做薄的问题；本发明由于采用了液晶聚酯，所以介电常数较低，结合碳纳米管高导热、高韧性、低密度的优点与金属材料密度高、易生产的性能。

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一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法专利，专利类型：发明授权，技术分类是：B32B15/04，购买一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法专利，需要申请人和发明人的基础信息，还需提供一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法专利的详细信息。
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